台积电发布28nm级工艺

台湾台积电（TSMC）在IEDM 2008上，发布了28nm级工艺技术（演讲序号：27.2）。该公司首次采用了high-k及金属栅极（HKMG）技术，“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”（该公司的演讲人员）。至此，大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调一致。

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台积电虽然在论文集中写的是32nm级工艺技术，但在实际演讲中，演讲题材及多半数据都被替换成了28nm级工艺内容。 

该公司的28nm技术采用193nm的液浸光刻及First HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT（按氧化膜换算的栅绝缘膜厚）为0.9nm，与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm级工艺技术的EOT值1.6nm相比，大幅削减了厚度。布线层采用10层铜布线。 

晶体管的导通电流（截止电流）方面，nMOS为1360μA/μm（80nA/μm），pMOS为960μA/μm（40nA/μm）。与32nm级技术相比，截止电流的值提高到了2倍左右。 

对于28nm级工艺技术，台积电表示，“此前通过更新现有工艺技术获得的20＋α％的性能提高，今后仍可继续维持”。

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文章出处：cnBeta

作者：alect